中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所成立于2006年，是由中國科學(xué)院、江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)四方共建的國家級研究機構(gòu)。以“致力納米科技創(chuàng)新，引領(lǐng)新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展”為宗旨，定位于納米技術(shù)的應(yīng)用基礎(chǔ)研究和產(chǎn)業(yè)化，在相關(guān)領(lǐng)域開展基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性、前瞻性創(chuàng)新研究。

依托中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所組建的半導(dǎo)體顯示材料與芯片重點實驗室2024年獲批成立，聚焦半導(dǎo)體顯示材料缺陷密度高、芯片能效低等基礎(chǔ)科學(xué)問題，開展關(guān)鍵材料、核心器件與集成芯片的創(chuàng)新研究，突破高質(zhì)量材料生長與高性能芯片制備的關(guān)鍵技術(shù)，集聚一批由戰(zhàn)略科學(xué)家、青年學(xué)術(shù)帶頭人等組成的科技創(chuàng)新隊伍，目標(biāo)產(chǎn)出一批原創(chuàng)性科技成果，推動科技成果的轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，著力建設(shè)成半導(dǎo)體顯示材料與芯片領(lǐng)域創(chuàng)新高地。

一、主要研究方向：

1.高質(zhì)量半導(dǎo)體光電材料

GaN等III族氮化物半導(dǎo)體材料、GaAs等III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長與測試表征

2.高能效紅綠藍微納光電器件

GaN基和GaAs基化合物半導(dǎo)體光電器件（紅綠藍高效Micro-LED、半導(dǎo)體邊發(fā)射與面發(fā)射激光器、超輻射發(fā)光二極管等）

3.半導(dǎo)體顯示多維度調(diào)制器件

數(shù)字微鏡器件DMD、MEMS微振鏡、超表面光場調(diào)控、微納光柵、光波導(dǎo)、驅(qū)動調(diào)制器件等

4.高性能半導(dǎo)體顯示集成芯片

激光顯示、XR微顯示、全息顯示、透明/柔性顯示等新型顯示驅(qū)動芯片及其集成微系統(tǒng)

二、崗位：工程師/科研助理10-20名

三、基本條件：

（1）具有碩士學(xué)歷，或者具有本科學(xué)歷及4年以上半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)的工作經(jīng)驗；年齡一般不超過35周歲；

（2）具有III族氮化物半導(dǎo)體、III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長與表征、光電子器件工藝及功率電子器件工藝研發(fā)經(jīng)驗的優(yōu)先考慮；

（3）具有扎實的專業(yè)基礎(chǔ)知識和實驗技能，良好的英語讀寫能力；

（4）具有較強的團隊合作意識、責(zé)任心和獨立開展工作的能力；

（5）動手能力強，認真細心，踏實肯干，善于溝通。

四、薪酬福利：

（1）薪資：中國科學(xué)院蘇州納米所為國家級事業(yè)單位，根據(jù)崗位職級提供有競爭性的薪酬待遇（工資+績效獎勵）；

（2）福利：享受五險一金（含公積金）、午餐補貼、工會福利、職工體檢等；

（3）補貼：碩士應(yīng)屆畢業(yè)生，協(xié)助申報蘇州市應(yīng)屆畢業(yè)生補貼：“雙一流大學(xué)”或世界前100名高校應(yīng)屆畢業(yè)生，3萬/年（兩年）；普通高校應(yīng)屆畢業(yè)生，2萬/年（兩年）。

五、應(yīng)聘方式：

請應(yīng)聘者將簡歷及相關(guān)證明材料通過郵件，以“應(yīng)聘崗位+姓名”為主題發(fā)送至郵箱：xren2011@sinano.ac.cn，我們將以郵件或電話的方式通知通過初選的應(yīng)聘者，參加線上面試和現(xiàn)場面試，聯(lián)系人：任老師。上述崗位全年受理。

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